第三代半导体哪些环节最受益？

　　据外电引述消息人士称，中国计划将大力支持发展第三代半导体产业写入“十四五”规划之中。中国计划在2021至2025年期间，“举全国之力”，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，目标实现产业独立自主，“不会受制于人”。

　　另外，消息补充称，中国将高度优先发展半导体产业，地位如同当年制造原子弹一般。

　　第三代半导体有一个特点，它不是摩尔定律，是后摩尔定律，它的线宽都不是很小的，设备也不是特别的贵，但是它的材料不容易做，设计上要有优势。

　　材料端：

　　有研新材：目前有研光电拥有60万片/年的GaAs衬底产能。

　　云南锗业：公司GaAs单晶片产能为80万片/年（折合4英寸）。

　　设计端：

　　闻泰科技：收购的安世GaN功率器件已通过车规级认证，开始向客户供货，SiC技术研发进展顺利

　　斯达半导：正在进行第三代IGBT芯片的研发，并成功研发量产SiC模块。

　　制造端：

　　三安光电：国内第三代化合物半导体主要制造商，已取得国内重要客户的合格供应商认证。

　　海特高新：已建成国内首条 6 寸化合物半导体商用生产线

　　乾照光电：公司与深圳第三代半导体研究院是深度合作关系，公司自2014年起即大规模量产氮化镓LED外延片和芯片。

　　赛微电子：公司目前第三代半导体业务主要是GaN（氮化镓）材料的生产与器件的设计，已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件，该等材料及器件可广泛应用于5G通讯、云计算、数据中心、新型电源等领域。19年9月，控股子公司聚能晶源投资建设的第三代半导体材料制造项目（一期）已达到投产条件。2020年1月，公司全资子公司北京微芯科技有限公司与北京海创新时代产业技术有限公司签订《投资协议书》，共同投资设立控股子公司北京海创微芯科技有限公司，其中微芯科技拟使用自有资金2100万元（分期投入）投资海创微芯，持有其70%的股权。此次投资设立海创微芯，主要从事半导体器件，尤其是氮化镓（GaN）器件的设计、开发，聚焦相关器件在5G通信、物联网、航空电子等领域的应用。